“Es más rápida y se puede guardar mucha más información en menos espacio -más de 50 veces la densidad de datos capaz de registrar la memoria en cuestión-«, comenta Gunuk Wang, coautor del estudio.
A pesar de que el mercado no para de avanzar en este sentido, la memoria interna de los teléfonos móviles aún parece que nos resulta exigua. Para paliar esta creciente preocupación por el almacenamiento, un equipo de científicos estadounidenses ha logrado crear un nuevo tipo de memoria que es capaz de alcanzar hasta 1 Terabyte, es decir, más de 1.000 gigas.
La memoria, bautizada como Ram Resistente(RRAM o Resistive random-access memory), ha sido desarrollada por un equipo de investigadores de la Universidad de Rice (EEUU) tras cinco años de estudio. EstaRRAM tiene una resistencia 100 veces mayor a las cotidianas y puede ser fabricada con equipos y temperaturas convencionales. La clave de este avance lo encontramos en el óxido de silicio poroso, que es el que le ha otorgado esa súper-resistencia.
Esta memoria interna fabricada con una tecnología similar a la que se emplea en los discos duros de estado sólido (SSD), tiene el tamaño de un sello de correos y será capaz de almacenar más de 30.000 canciones en mp3; todo lo que podamos imaginarnos dentro de 1.024 gigas.
Además, gracias al óxido de silicio, su proceso de fabricación será barato, ya que nuestros dispositivos actuales utilizan óxido de silicio. La memoria RRAM podría llegar a nuestros móviles en pocos años, según revela el estudio publicado en la revista de la American Chemical Society, Journal Nano Letters.
«Nuestra tecnología es la única que satisface todas las necesidades del mercado, tanto desde el punto de vista de la producción como del rendimiento. Si algún día llega a aplicarse, lo cierto es que ya no tendríamos por qué preocuparnos de errores de memoria baja”, afirma James Tour, coautor del estudio.
FUENTE: www.muyinteresante.es
